onsemi Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL110N65S3F

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-1315
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVHL110N65S3F
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Width

4.82 mm

Standards/Approvals

No

Height

20.82mm

Automotive Standard

AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150°C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 93 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

PPAP Capable

Applications

HV DC/DC converter

End Products

On Board Charger

DC/DC Converter

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง