onsemi N-Channel MOSFET, 477 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N06CLTXG
- RS Stock No.:
- 185-9234
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB830.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB888.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,806 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | THB415.20 | THB830.40 |
| 750 - 1498 | THB404.825 | THB809.65 |
| 1500 + | THB398.595 | THB797.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-9234
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 477A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900μΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 294.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 225nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 1.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 477A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900μΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 294.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 225nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.1mm | ||
Height 1.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFSC0D9N04CL
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS1D2N08H
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG