onsemi Type N-Channel MOSFET, 313 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 195-2663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFSC0D9N04CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB153,792.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB164,556.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB51.264 | THB153,792.00 |
| 6000 - 9000 | THB50.149 | THB150,447.00 |
| 12000 + | THB49.035 | THB147,105.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFSC0D9N04CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 313A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850μΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 143nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 5.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 313A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850μΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 143nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.95mm | ||
Length 5.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
This N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Top and bottom sided exposed in standard 5x6mm pin-out
Improved thermal dissipation through top and bottom side of the package
Ultra low RDS-on
Reduced conduction loss
Reduced capacitances and package inductance
Reduced switching loss
Application
Synchronous Rectifier in AC-DC and DC-DC power supplies
Motor Switch
Load switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NTMFSC0D9N04CL
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFSC0D9N04C
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFSC0D9N04CL
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN