onsemi Type N-Channel MOSFET, 433 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG
- RS Stock No.:
- 185-9210
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB732.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB783.808
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 132 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | THB366.265 | THB732.53 |
| 750 - 1498 | THB357.12 | THB714.24 |
| 1500 + | THB351.635 | THB703.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-9210
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 433A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 630μΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 99nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 205W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 8 mm | |
| Height | 1.15mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 433A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 630μΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 99nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 205W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 8 mm | ||
Height 1.15mm | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS0D6N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS0D6N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS0D6N03CT1G
- Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
