onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- RS Stock No.:
- 903-4074
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000-D26Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB544.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB582.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 1,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | THB5.447 | THB544.70 |
| 500 - 900 | THB5.283 | THB528.30 |
| 1000 + | THB5.125 | THB512.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 903-4074
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000-D26Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | 2N7000 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.88V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.33mm | |
| Length | 5.2mm | |
| Width | 4.19 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series 2N7000 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.88V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.33mm | ||
Length 5.2mm | ||
Width 4.19 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000TA
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-G
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138AKAR