Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 180-8833
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR110PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB164.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB176.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB16.464 | THB164.64 |
| 20 - 30 | THB16.052 | THB160.52 |
| 40 + | THB15.805 | THB158.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8833
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR110PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Mount Type | Surface, Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.54Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±10 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.73 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Length | 9.65mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Mount Type Surface, Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.54Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±10 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.73 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Length 9.65mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 100V and maximum gate-source voltage of 10V. It has a drain-source resistance of 540mohm at a gate-source voltage of 5V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 25W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Available in tape and reel
• Dynamic dV/dt rating
• Halogen and lead (Pb) free component
• Logic-level gate drive
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• RDS (on) specified at VGS is 4V and 5V
• Repetitive avalanche rated
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IRLR110PBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IRFU120PBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF530SPBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB