Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 50 V, 4-Pin HVMDIP IRFD020PBF
- RS Stock No.:
- 180-8317
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD020PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*
THB3,262.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,490.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | THB32.621 | THB3,262.10 |
| 200 - 300 | THB31.912 | THB3,191.20 |
| 400 + | THB31.203 | THB3,120.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8317
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD020PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | HVMDIP | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Standards/Approvals | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Length | 0.29in | |
| Height | 0.330in | |
| Width | 0.425 in | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type HVMDIP | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Standards/Approvals RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Length 0.29in | ||
Height 0.330in | ||
Width 0.425 in | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, HVMDIP-4 package is a new age product with a drain-source voltage of 50V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 100mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 1W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Compact, end stackable
• Ease of paralleling
• Excellent temperature stability
• Fast switching
• For automatic insertion
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 50 V, 4-Pin HVMDIP
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 200 V, 4-Pin HVMDIP
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9210PBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin SOT-223
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin SOT-223 IRLL014TRPBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin