Vishay Single IRLD 1 N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRLD110PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
301-338
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLD110PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Transistor Configuration

Single

Series

IRLD

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

1 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

100 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

4

Package Type

HVMDIP

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

2.5 V

Height

3.37 mm

Length

5 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

540 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-10 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

175 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

1.3 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole, Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

6.1 nC

Width

6.29 mm

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง