Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 18 A, 50 V TO-220AB IRF9Z30PBF
- RS Stock No.:
- 180-8311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z30PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,355.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,520.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 600 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB47.104 | THB2,355.20 |
| 100 - 150 | THB46.08 | THB2,304.00 |
| 200 + | THB45.056 | THB2,252.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z30PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.14Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.52 mm | |
| Height | 6.48mm | |
| Length | 14.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.14Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.52 mm | ||
Height 6.48mm | ||
Length 14.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-220AB package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 140mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 74W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanched rated
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 50 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB IRF9Z24PBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263 IRF9520SPBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263 IRF9Z24SPBF