Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 2.5 A, 500 V IRF820ASPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,547.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,656.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 950 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB30.955THB1,547.75
100 - 150THB30.282THB1,514.10
200 +THB29.609THB1,480.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-8306
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF820ASPBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Width

10.67 mm

Length

2.79mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay IRF820AS is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 500V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having D2PAK (TO-263)and I2PAK (TO-262) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 3ohms at 10VGS. Maximum drain current 17A.

Low gate charge Qg results in simple drive requirement

Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง