Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4459ADY-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4459ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4459ADY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB395.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB422.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,760 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB79.04	THB395.20
625 - 1245	THB77.064	THB385.32
1250 +	THB75.874	THB379.37

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4459ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	129nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Width	6.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.75mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 129nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Width 6.2 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.75mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 7.8W and continuous drain current of 29A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• Notebook

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS teste