Vishay Single TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7139DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7310
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7139DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7139DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB8,268.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB137,772.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB147,417.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB45.924	THB137,772.00	-
6000 - 9000	THB44.546	THB133,638.00	THB8,268.00
12000 +	THB43.21	THB129,630.00	THB32,568.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7310
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7139DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	00090Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	49.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	48W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	5.26mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 00090Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 48W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 5.26mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 48W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen and Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switches

• Battery switches

• Load switches

• Notebook computers

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested