Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 15.2 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 178-7500
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC900N20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB133,760.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB143,125.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB26.752 | THB133,760.00 |
| 10000 - 15000 | THB25.949 | THB129,745.00 |
| 20000 + | THB25.171 | THB125,855.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-7500
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC900N20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Width | 5.35 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Width 5.35 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC900N20NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON