onsemi NVMFS6H800N Type N-Channel MOSFET, 203 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS6H800NT1G
- RS Stock No.:
- 178-4435
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6H800NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB968.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,036.595
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 370 | THB193.756 | THB968.78 |
| 375 - 745 | THB188.914 | THB944.57 |
| 750 + | THB186.008 | THB930.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4435
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6H800NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 203A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | NVMFS6H800N | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.1mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 203A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series NVMFS6H800N | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.1mm | ||
Height 1.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection.Suitable for automotive applications.
Features
Small Footprint (5x6 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
NVMFS6H800NWF - Wettable Flank Option
PPAP capable
Benefits
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical
Inspection
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
End Products
Motor Control
Load Switch
DC/DC converter
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H800NT1G
- onsemi NBTLS Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin M0-299A NTBLS1D7N08H
- onsemi NBTLS Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin M0-299A
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN