onsemi NVMFS6H818N Type N-Channel MOSFET, 123 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 178-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6H818NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB74,092.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB79,279.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB49.395 | THB74,092.50 |
| 3000 - 4500 | THB47.913 | THB71,869.50 |
| 6000 + | THB46.476 | THB69,714.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6H818NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 123A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFS6H818N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 123A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFS6H818N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.05mm | ||
Length 5.1mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection.Suitable for automotive applications.
Features
Small Footprint (5x6 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
NVMFS6H818NWF - Wettable Flank Option
PPAP capable
Benefits
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
End Products
Motor Control
DC/DC converter
Load Switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMFS6H818N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS6H818NT1G
- onsemi NTMFS6H818N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H818N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H818NT1G
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H824N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6D1N08H Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN