Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRLD110PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
178-0913
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLD110PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Width

6.29mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง