ROHM R6520ENX Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6520ENX
- RS Stock No.:
- 177-6458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6520ENX
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB286.71
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB306.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 414 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 15 พฤษภาคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB143.355 | THB286.71 |
| 10 - 48 | THB139.765 | THB279.53 |
| 50 - 98 | THB136.27 | THB272.54 |
| 100 - 248 | THB132.86 | THB265.72 |
| 250 + | THB129.535 | THB259.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 177-6458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6520ENX
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220FM | |
| Series | R6520ENX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.3mm | |
| Height | 15.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220FM | ||
Series R6520ENX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.3mm | ||
Height 15.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- JP
R6520ENX is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6520ENX Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6520ENX
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL190N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF190N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R107M1HXKSA1