Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 TK14G65W,RQ(S

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*

THB577.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB618.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 855 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 20THB115.55THB577.75
25 - 45THB112.662THB563.31
50 - 245THB109.836THB549.18
250 - 495THB107.092THB535.46
500 +THB104.414THB522.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
133-2797
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TK14G65W,RQ(S
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

13.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

DTMOSIV

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

8.8mm

Height

4.46mm

Length

10.35mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET Transistors, Toshiba


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง