Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 TK14G65W,RQ(S
- RS Stock No.:
- 133-2797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK14G65W,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB456.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB488.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 855 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB91.344 | THB456.72 |
| 25 - 45 | THB89.06 | THB445.30 |
| 50 - 245 | THB86.826 | THB434.13 |
| 250 - 495 | THB84.656 | THB423.28 |
| 500 + | THB82.54 | THB412.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 133-2797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK14G65W,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.46mm | |
| Length | 10.35mm | |
| Width | 8.8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.46mm | ||
Length 10.35mm | ||
Width 8.8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS5X(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1X(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS5X(M
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
