onsemi Single SiC Power Module, 28 A, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 172-8780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSP3065A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 172-8780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSP3065A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Forward Voltage Vf | 2.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Height | 16.51mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Forward Voltage Vf 2.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Height 16.51mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
The ON Semiconductor TO-220-2L silicon carbide (SiC) Schottky diode is the latest product that uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. The diode has many advanced features like temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance that makes it undoubtedly the next-generation power semiconductor. This diode offers many benefits that include the highest efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI and reduced system size and cost.
Features and Benefits
• Avalanche rated 180mJ
• Ease of paralleling
• High surge current capacity
• No reverse recovery/no forward recovery
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Positive temperature coefficient
Applications
• EV charger
• General purpose
• Industrial power
• PFC
• Power switching circuits
• SMPS
• Solar inverter
• UPS
• Welding
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Littelfuse N-Channel SiC Power Module 12 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP36N60X3
- onsemi SiC Power Module 900 V F1-2PACK
- onsemi SiC Power Module 1200 V F1-2PACK
- onsemi SiC Power Module 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG
- onsemi SiC Power Module 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG
- onsemi Isolated N-Channel SiC Power Module 1200 V, 36-Pin F2 NXH006P120MNF2PTG
- Littelfuse N-Channel SiC Power Module 12 V Enhancement, 3-Pin TO-268 IXFT60N60X3HV
- Littelfuse N-Channel SiC Power Module 12 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA36N60X3
