onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK
- RS Stock No.:
- 248-5825
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH010P90MNF1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 28 ชิ้น)*
THB147,686.672
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB158,024.748
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 28 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 28 - 28 | THB5,274.524 | THB147,686.67 |
| 56 - 56 | THB5,116.304 | THB143,256.51 |
| 84 + | THB4,962.809 | THB138,958.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-5825
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH010P90MNF1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | F1-2PACK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 328W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type F1-2PACK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 328W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.
10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge
Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM
Press−fit pins
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG
- onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK
- onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG
- STMicroelectronics A2F SiC Power Module 1200 V Enhancement ACEPACK 2
- STMicroelectronics A2F SiC Power Module 1200 V Enhancement ACEPACK 2 A2F12M12W2-F1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263