onsemi NVMFS4C310N N-Channel MOSFET, 51 A, 30 V Enhancement, 6-Pin DFN NVMFS4C310NT1G
- RS Stock No.:
- 172-3343
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS4C310NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB2,142.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,292.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 600 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 350 | THB42.853 | THB2,142.65 |
| 400 - 700 | THB41.782 | THB2,089.10 |
| 750 + | THB41.139 | THB2,056.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-3343
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS4C310NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | NVMFS4C310N | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series NVMFS4C310N | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Height 1.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low Capacitance to Minimize Driver Losses
Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
NVMFS4C310NWF − Wettable Flanks Option for Enhanced Optical Inspection
These Devices are Pb−Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN DMP2065UFDB-7
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN DMP2035UFDF-7
- onsemi Dual PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ
- onsemi Isolated 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6401N
- onsemi Isolated 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN NTLJD4116NT1G
- onsemi Isolated 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
