onsemi Dual PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN

RS Stock No.:: 184-4217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMA2002NZ
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Dual PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB33,351.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,685.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB11.117	THB33,351.00
6000 - 9000	THB10.783	THB32,349.00
12000 +	THB10.46	THB31,380.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 184-4217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMA2002NZ
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	WDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	268mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.4nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Height	0.75mm
	Length	2mm
	Width	2 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type WDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 268mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.4nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Height 0.75mm
	Length 2mm
	Width 2 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet FDMA2002NZ

COO (Country of Origin):: TH

This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

2.9 A, 30 V

RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V

RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V

Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm

HBM ESD protection level=1.8kV (Note 3)

Free from halogenated compounds and antimony oxides

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications

onsemi Dual PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V Enhancement, 6-Pin WDFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง