Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK31E60X,S1X(S
- RS Stock No.:
- 125-0563
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK31E60X,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB278.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB297.792
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 24 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB139.155 | THB278.31 |
| 10 - 18 | THB135.68 | THB271.36 |
| 20 - 48 | THB132.295 | THB264.59 |
| 50 - 98 | THB128.99 | THB257.98 |
| 100 + | THB125.765 | THB251.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-0563
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK31E60X,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 88mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 15.1mm | |
| Width | 4.45 mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 88mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 15.1mm | ||
Width 4.45 mm | ||
Length 10.16mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VF(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1X(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1X(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VX(S
