Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6J402TU(TE85L,F
- RS Stock No.:
- 756-2779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6J402TU(TE85L,F
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB127.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB136.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 590 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 1,830 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB12.783 | THB127.83 |
| 50 - 90 | THB12.399 | THB123.99 |
| 100 - 240 | THB12.015 | THB120.15 |
| 250 - 490 | THB11.76 | THB117.60 |
| 500 + | THB11.505 | THB115.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 756-2779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6J402TU(TE85L,F
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | UF6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 225mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2 mm | |
| Height | 0.7mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type UF6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 225mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2 mm | ||
Height 0.7mm | ||
Length 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Dual MOSFET P-Channel SSM6Pxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin UFM SSM3J135TU(TE85L)
- Toshiba SSM3 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin UFM SSM3J117TU(TE85L)
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement115
- Infineon Isolated OptiMOS P 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS P 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP BSL308PEH6327XTSA1
- Microchip MIC9405 Type P-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 6-Pin SC-70 MIC94053YC6-TR
