Infineon IPW Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R060CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 250-0598
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB243.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB260.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 94 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB243.88 |
| 2 - 4 | THB236.55 |
| 5 - 9 | THB227.09 |
| 10 - 14 | THB215.74 |
| 15 + | THB202.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0598
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V CoolMOS CFD7 extends the voltage class offering of the CFD7 family and is a success or to the 650V CoolMOS CFD2. Resulting from improved switching performance and excellent thermal behaviour. It offers highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge(ZVS). As part of Infineon’s fast body diode portfolio, this new product series blends all advantages of a fast switching technology together with superior hard commutation robustness. The technology meets highest efficiency and reliability standards and furthermore supports high power density solutions.
Excellent hard commutation ruggedness
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications
Improved full load efficiency in industrial SMPS applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPW Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL60P4LLF6
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD30P06PGBTMA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SPB80P06PGATMA1