Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8
- RS Stock No.:
- 273-5250
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB828.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB886.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB165.712 | THB828.56 |
| 50 - 495 | THB137.916 | THB689.58 |
| 500 - 995 | THB118.134 | THB590.67 |
| 1000 - 2495 | THB115.992 | THB579.96 |
| 2500 + | THB113.85 | THB569.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5250
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | PG-TSDSON-8 | |
| Series | BSZ12DN20NS3 G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 40mm | |
| Width | 40 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type PG-TSDSON-8 | ||
Series BSZ12DN20NS3 G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 40mm | ||
Width 40 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and 150 degree Celsius operating temperature. It is a optimized for dc to dc conversion.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 BSZ12DN20NS3GATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ033N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ028N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ106N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ330N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1