N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC12DN20NS3GATMA1

RS Stock No.:: 170-2290
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC12DN20NS3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC12DN20NS3GATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 5000)

THB20.147

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB21.557

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 22/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
5000 - 5000	THB20.147	THB100,735.00
10000 - 15000	THB19.543	THB97,715.00
20000 +	THB18.956	THB94,780.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-2290
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC12DN20NS3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11.3 A
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	TDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	50 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	20 V
Number of Elements per Chip	1
Length	5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	6.35mm
Height	1.1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC12DN20NS3GATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง