Infineon BSC050N04LS G Type N-Channel MOSFET, 85 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 170-2275
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC050N04LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB57,935.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB61,990.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB11.587 | THB57,935.00 |
| 10000 - 15000 | THB11.24 | THB56,200.00 |
| 20000 + | THB10.902 | THB54,510.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2275
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC050N04LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | BSC050N04LS G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Forward Voltage Vf | 0.87V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5.49mm | |
| Width | 6.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON | ||
Series BSC050N04LS G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Forward Voltage Vf 0.87V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5.49mm | ||
Width 6.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40V is a perfect choice for synchronous rectification in Switched Mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC050N04LS G Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC050N04LSGATMA1
- Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC500N20NS3 G Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC500N20NS3 G Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC500N20NS3GATMA1
- Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC12DN20NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC100N04S6N015ATMA1