STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- RS Stock No.:
- 168-8819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH150N10F7-2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB89,194.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB95,438.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB89.194 | THB89,194.00 |
| 2000 - 3000 | THB86.518 | THB86,518.00 |
| 4000 + | THB83.922 | THB83,922.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-8819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH150N10F7-2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | H2PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 117nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.8mm | |
| Width | 10.57 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type H2PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 117nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.8mm | ||
Width 10.57 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH12N120K5-2
- STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2