STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 168-7300
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS5NF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB68,135.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB72,905.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB27.254 | THB68,135.00 |
| 5000 - 7500 | THB26.661 | THB66,652.50 |
| 10000 + | THB26.069 | THB65,172.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-7300
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS5NF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.65mm | |
| Width | 4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Height 1.65mm | ||
Width 4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSS-13
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- ROHM Dual SP8K33 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SP8K33HZGTB
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS7NF60L
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4
