IXYS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- RS Stock No.:
- 168-4813
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFK100N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB14,000.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,980.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB560.006 | THB14,000.15 |
| 50 - 75 | THB547.832 | THB13,695.80 |
| 100 + | THB535.658 | THB13,391.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4813
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFK100N65X2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-264 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 20.3mm | |
| Width | 26.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-264 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 20.3mm | ||
Width 26.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
Very low RDS(on) and QG (gate charge)
Fast intrinsic rectifier diode
Low intrinsic gate resistance
Low package inductance
Industry standard packages
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK100N65X2
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin TO-264