IXYS Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 168-4811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFH46N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB9,254.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,902.19

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB308.479	THB9,254.37
60 - 90	THB293.054	THB8,791.62
120 +	THB278.401	THB8,352.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFH46N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	46A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	69mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	660W
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	98nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	5.21mm
	Length	16.13mm
	Width	21.34 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 46A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 69mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 660W
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 5.21mm
	Length 16.13mm
	Width 21.34 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series

The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

Very low RDS(on) and QG (gate charge)

Fast intrinsic rectifier diode

Low intrinsic gate resistance

Low package inductance

Industry standard packages

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง