IXYS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N60P3
- RS Stock No.:
- 168-4756
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN110N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*
THB14,702.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15,731.42
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 70 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB1,470.226 | THB14,702.26 |
| 20 - 30 | THB1,426.118 | THB14,261.18 |
| 40 + | THB1,383.334 | THB13,833.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4756
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN110N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 245nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5kW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 25.07 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.6mm | |
| Length | 38.23mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 245nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5kW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 25.07 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.6mm | ||
Length 38.23mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227