IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB8,791.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,406.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 220 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB879.15THB8,791.50
20 - 30THB852.776THB8,527.76
40 +THB827.192THB8,271.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4759
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFN80N60P3
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง