IXYS HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH50N60P3

RS Stock No.:: 802-4388
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFH50N60P3
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH50N60P3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB344.21

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB368.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

เพิ่มอีก 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
9 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 09 มีนาคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 7	THB344.21
8 - 14	THB335.60
15 +	THB330.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 802-4388
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFH50N60P3
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	HiperFET, Q3-Class
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	145mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	94nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.04kW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.3 mm
	Height	21.46mm
	Length	16.26mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series HiperFET, Q3-Class
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 145mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.3 mm
	Height 21.46mm
	Length 16.26mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH50N60P3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง