IXYS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH50N60P3
- RS Stock No.:
- 802-4388
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH50N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB344.21
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB368.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- เพิ่มอีก 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 7 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB344.21 |
| 8 - 14 | THB335.60 |
| 15 + | THB330.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 802-4388
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH50N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 145mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 94nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 145mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Height 21.46mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH22N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH36N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220