IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

RS Stock No.:: 168-4576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB9,010.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,641.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

140 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 670 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
10 - 10	THB901.078	THB9,010.78
20 - 30	THB874.046	THB8,740.46
40 +	THB847.825	THB8,478.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-227
	Series	Polar HiPerFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	680W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	235nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	25.07 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-227
	Series Polar HiPerFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 680W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 235nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 25.07 mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง