IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB15,937.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,053.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 380 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB1,593.79THB15,937.90
20 - 30THB1,545.976THB15,459.76
40 +THB1,499.598THB14,995.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4494
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFN60N80P
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง