IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

RS Stock No.:: 125-8040
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB985.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,054.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 89 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 676 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 2	THB985.35
3 - 4	THB960.72
5 +	THB945.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 125-8040
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN200N10P
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-227
	Series	Polar HiPerFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	235nC
	Maximum Power Dissipation Pd	680W
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Width	25.07 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-227
	Series Polar HiPerFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 235nC
	Maximum Power Dissipation Pd 680W
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Width 25.07 mm
	Automotive Standard No

IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง