ROHM Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT

RS Stock No.:: 168-2133
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: QS6K1TR
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB529.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB566.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB21.178	THB529.45
750 - 1475	THB20.648	THB516.20
1500 +	THB20.33	THB508.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-2133
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: QS6K1TR
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSMT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	238mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.7nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Width	1.8 mm
	Height	0.95mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSMT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 238mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Width 1.8 mm
	Height 0.95mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Complex type MOSFETs(N+N) are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

2.5Ｖ-drive type

Nch Middle-power MOSFET

Fast Switching Speed

Small Surface Mount Package

Pb Free

Applications:

Portable Data Terminal

Coin Processing Machines

Digital Multimeter: Handy Type

Motor Control: Brushless DC

PLC (Programmable Logic Controller)

AC Servo

Network Attached Storage

DVR/DVS

Motor Control: Stepper Motor

Motor Control: Brushed DC

POS (Point Of Sales System)

Electric Bike

Embedded PC

Smart Meter

Surveillance Camera

X-ray Inspection Machine for Security

Surveillance Camera for Network

Intercom / Baby Monitor

Machine Vision Camera for Industrial

Fingerprint Authentication Device

GFCI(Ground Fault Circuit Interrupter)

Digital Multimeter: Bench Type

Display for EMS

Solar Power Inverters

ROHM Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง