onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG1024NZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
864-8142
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDG1024NZ
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Transistor Configuration

Isolated

Series

PowerTrench

Number of Elements per Chip

2

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

20 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

6

Package Type

SOT-363

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

700 mV

Height

1 mm

Length

2 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

259 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

360 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

1.8 nC

Width

1.25 mm

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง