onsemi UniFET Type P-Channel MOSFET, 460 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV304P

RS Stock No.:: 166-1711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV304P
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET Type P-Channel MOSFET, 460 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV304P

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB10,392.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,118.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

24,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB3.464	THB10,392.00	-
6000 - 9000	THB3.36	THB10,080.00	3%
12000 +	THB3.259	THB9,777.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-1711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV304P
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	460mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SOT-23
	Series	UniFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	350mW
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	930μm
	Length	2.92mm
	Width	1.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 460mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SOT-23
	Series UniFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 350mW
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 930μm
	Length 2.92mm
	Width 1.3mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.