onsemi UniFET Type P-Channel MOSFET, 460 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 166-1711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV304P
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET Type P-Channel MOSFET, 460 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB10,089.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,794.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 27,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.363	THB10,089.00
6000 - 9000	THB3.262	THB9,786.00
12000 +	THB3.164	THB9,492.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-1711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV304P
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	460mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	UniFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	350mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Width	1.3 mm
	Height	0.93mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 460mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series UniFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 350mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Width 1.3 mm
	Height 0.93mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.