onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB23,553.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,203.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 36,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB7.851THB23,553.00
6000 - 9000THB7.615THB22,845.00
12000 +THB7.387THB22,161.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-1833
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDN359AN
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

PowerTrench

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Length

2.92mm

Standards/Approvals

No

Height

0.94mm

Automotive Standard

No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง