Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-3003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4900DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 2500)

THB21.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23.42

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 07/01/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
2500 - 2500	THB21.89	THB54,725.00
5000 - 7500	THB21.234	THB53,085.00
10000 +	THB20.597	THB51,492.50

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-3003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4900DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.3 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	58 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	2 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 10 V
Width	4mm
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง