Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 919-4189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI9945BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 2500)

THB15.485

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16.569

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

5230 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
2500 - 2500	THB15.485	THB38,712.50
5000 - 7500	THB15.02	THB37,550.00
10000 +	THB14.57	THB36,425.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI9945BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.3 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	72 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.5mm

Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง