Vishay SUP57N20-33 N-Channel MOSFET, 57 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP57N20-33-E3
- RS Stock No.:
- 165-2816
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP57N20-33-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB5,230.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,596.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB104.606 | THB5,230.30 |
| 100 - 150 | THB102.332 | THB5,116.60 |
| 200 + | THB100.058 | THB5,002.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-2816
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP57N20-33-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SUP57N20-33 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.75W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.7mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SUP57N20-33 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.75W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.7mm | ||
Length 10.41mm | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUP57N20-33 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP57N20-33-E3
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Nexperia N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710PBF
- Nexperia N-Channel MOSFET 100 V Enhancement127
- onsemi SUPERFET V N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL041N60S5H
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247