Nexperia Dual Trench MOSFET 2 N-Channel Trench MOSFET, 260 mA, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NX7002BKXBZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
153-0730
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NX7002BKXBZ
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

N

Product Type

Trench MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

260mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Trench MOSFET

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4032mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Transistor Configuration

Dual

Width

1.05mm

Length

1.15mm

Standards/Approvals

No

Height

360μm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

N-channel MOSFETs 40 V - 60 V, Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages, Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range, part of our massive MOSFET device portfolio. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

60 V, dual N-channel Trench MOSFET, Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Logic-level compatible

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง