Vishay Si2374DS Type N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2374DS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 152-6360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2374DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB399.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB427.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,250 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB7.989 | THB399.45 |
| 750 - 1450 | THB7.79 | THB389.50 |
| 1500 + | THB7.67 | THB383.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-6360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2374DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Si2374DS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±8 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-Free | |
| Height | 1.02mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Si2374DS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-Free | ||
Height 1.02mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
TrenchFET® power MOSFET
Material categorization:
APPLICATIONS
Load switch
Power management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2374DS Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
- DiodesZetex DMN2050L Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN2050L Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2050L-7
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
