ROHM SCT3022AL Type N-Channel MOSFET, 93 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SCT3022ALGC11
- RS Stock No.:
- 150-1518
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3022ALGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,768.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,891.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB1,768.09 |
| 8 - 14 | THB1,723.90 |
| 15 + | THB1,697.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 150-1518
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3022ALGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 93A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SCT3022AL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 3.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 262W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 133nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21mm | |
| Length | 16mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 93A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SCT3022AL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 3.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 262W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 133nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21mm | ||
Length 16mm | ||
Automotive Standard No | ||
Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery Easy to parallel Simple to drive Pb-free lead plating, RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R015M2HXKSA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4768PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP TPH4R50ANH
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP
- onsemi NTMFS006N Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS006N Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS006N12MCT1G
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
