Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 93 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4768PBF
- RS Stock No.:
- 124-9021
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP4768PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB3,276.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,506.025
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB131.066 | THB3,276.65 |
| 50 - 75 | THB128.216 | THB3,205.40 |
| 100 + | THB125.367 | THB3,134.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-9021
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP4768PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 93A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 520W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 20.7mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 93A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 520W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 20.7mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
Motor Control MOSFET
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Synchronous Rectifier MOSFET
A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin TO-252 IRFR3711ZTRPBF
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R015M2HXKSA1
- ROHM SCT3022AL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SCT3022ALGC11
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP TPH4R50ANH
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP
- onsemi NTMFS006N Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 5-Pin DFN
