onsemi NTMFS006N Type N-Channel MOSFET, 93 A, 120 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS006N12MCT1G
- RS Stock No.:
- 221-6722
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS006N12MCT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB743.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB795.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 250 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB74.30 | THB743.00 |
| 20 - 90 | THB72.443 | THB724.43 |
| 100 - 240 | THB70.632 | THB706.32 |
| 250 - 490 | THB68.866 | THB688.66 |
| 500 + | THB67.144 | THB671.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6722
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS006N12MCT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 93A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTMFS006N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.3mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 93A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTMFS006N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.3mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor N-Channel MV MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMFS006N Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6D1N08H Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H818N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN